DDR4 SODIMM KINGSTON 2X 8GB 3200 FURY IMPACT

8 GB, 16 GB y 32 GB con capacidades de hasta 3200 MT/s
Equipa tu portátil u otro aparato de pequeño factor de forma con Kingston FURY™ Impact DDR4 SODIMM y minimiza el retardo del sistema. Preparado para AMD Ryzen y XMP Intel®, y con certificado XMP en capacidades de kit de hasta 64 GB, DDR4 FURY Impact incorpora la innovadora tecnología de overclocking Plug N Play* de Kingston, que acelera automáticamente la velocidad predeterminada de fábrica y los tiempos de latencia sin necesidad de cambiar ningún ajuste de la BIOS. Estos módulos negros, diseñados para funcionar de manera eficiente y silenciosa a solamente 1,2 V, supondrán una inyección de dinamismo al rendimiento de tu sistema.

Potente rendimiento de la SODIMM
Maximice la memoria y dé un chute de dinamismo a sus juegos, multitarea y digitalización.

Función de overclocking automática Plug N Play*
Impact DDR4 ejecuta automáticamente un overclocking hasta la frecuencia más alta publicada.

Preparado para Intel® XMP y con certificación XMP
Diseñado para maximizar el rendimiento de nuestros módulos de memoria, nuestros ingenieros han predefinido los perfiles de memoria extrema (XMP) de Intel para que alcancen velocidades de hasta 3200 MT/s.

Preparado para AMD Ryzen™
Consigue una memoria preparada para AMD Ryzen que se integrará perfectamente con su sistema compatible con SODIMM basado en AMD. Un rendimiento fiable y compatible para mejorar tu sistema.

Mejor rendimiento con bajo consumo eléctrico
Ejecuta tu sistema de manera eficiente y sin que se recaliente, gracias al bajo consumo eléctrico (1,2 V) de los módulos DDR4.

Delgado factor de forma, estilizado diseño
La placa de circuitos impresos negra y la elegante etiqueta térmica imponen su avanzado diseño en una pequeña superficie.

Kingston Technology FURY 16GB 3200MT/s DDR4 CL20 SODIMM (Kit of 2) Impact. Componente para: Portátil, Memoria interna: 16 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 2 x 8 GB, Tipo de memoria interna: DDR4, Velocidad de memoria del reloj: 1600 MHz, Forma de factor de memoria: 260-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 20